Glas-Interposer (GIP)

Das Glas-Interposer-Verfahren (GIP) von Silicon Sensing bietet eine sich aus dem Wafer Level Packaging-Prozess ergebende hohe Zuverlässigkeit, die gewonnen wird durch die Serienherstellung seines Kapazitiven CRG20-MEMS-Gyroskops (VSG4) und durch ein kostengünstiges Glasstrahl-Verfahren im Vergleich zu einem konventionellen Through-Silicon Via (TSV)-Verfahren.

 

Glass Interposer Specification

Vergleich zwischen TSV und GIP

TSV-Verfahren		Glas-Interposer-Verfahren
1. Silicon deep RIE-Verfahren		1. Oberflächen-Glasstrahl-Verfahren
2. Wafer isolieren (Wärmeoxidation oder CVD)		2. Rückseiten-Glasstrahl-Verfahren
3. Seed Layer ausgebildet (Sputtern)		3. Oberflächenelektrode ausgebildet
4. Metallplattierung		4. Rückseitenelektrode ausgebildet
5. chemisch-mechanisches Polieren		5. Elektroden-Patterning (Nassätzen)
6. Oberflächenelektrode ausgebildet
7. Oberflächenelektroden-Patterning (Ätzen)
8. Rückseitenelektrode ausgebildet
9. Rückseitenelektroden-Patterning (Ätzen)