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Glas-Interposer (GIP)

Das Glas-Interposer-Verfahren (GIP) von Silicon Sensing bietet eine sich aus dem Wafer Level Packaging-Prozess ergebende hohe Zuverlässigkeit, die gewonnen wird durch die Serienherstellung seines Kapazitiven CRG20-MEMS-Gyroskops (VSG4) und durch ein kostengünstiges Glasstrahl-Verfahren im Vergleich zu einem konventionellen Through-Silicon Via (TSV)-Verfahren.

 

Glass Interposer Specification

Vergleich zwischen TSV und GIP



TSV-Verfahren

     Glas-Interposer-Verfahren
1. Silicon deep RIE-Verfahren   1. Oberflächen-Glasstrahl-Verfahren
 
2. Wafer isolieren (Wärmeoxidation oder CVD)   2. Rückseiten-Glasstrahl-Verfahren
 
3. Seed Layer ausgebildet (Sputtern)   3. Oberflächenelektrode ausgebildet
 
4. Metallplattierung   4. Rückseitenelektrode ausgebildet
 
5. chemisch-mechanisches Polieren   5. Elektroden-Patterning (Nassätzen)
 
6. Oberflächenelektrode ausgebildet    
   
7. Oberflächenelektroden-Patterning (Ätzen)    
   
8. Rückseitenelektrode ausgebildet    
   
9. Rückseitenelektroden-Patterning (Ätzen)    
   

 

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